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    • 专利摘要:
    提供一種基板清潔方法，其用一滾動清理件可更均勻清理一基板表面之全部表面，即使當存在一點(區域)於該基板表面之清理區中，且於該點之該基板之轉速與該滾動清理件之轉速之間的相對速度為零。該基板清潔方法，係藉由旋轉一基板與一沿該基板之直徑方向延伸之滾動清理件，而且使該滾動清理件保持接觸該基板之一表面，而使用該滾動清理件擦淨該基板之該表面，該方法包括於擦淨清理該基板之該表面之期間，改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度、或改變該基板之旋轉方向。
    公开号:TW201306103A
    申请号:TW101122368
    申请日:2012-06-22
    公开日:2013-02-01
    发明作者:xin-ming Wang；Kunimasa Matsushita；Fumitoshi Oikawa
    申请人:Ebara Corp；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    基板清潔方法
    本發明係有關一種基板清潔方法，用一長圓筒滾動清理件擦淨一如半導體晶圓之基板表面，藉由旋轉該基板與該滾動清理件，而且於一清洗液存在的情形下，使該滾動清理件保持接觸該基板表面。本發明之基板清潔方法可應用於一半導體晶圓表面的清理、或製造一液晶顯示器(LCD)的裝置、一電漿顯示版面(PDP)裝置、一互補金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器等時之基板表面的清理。
    在一種形成互連於一基板表面中之嵌埋式互連形成製程中，係藉由填充一金屬於一形成於該基板表面之絕緣膜上之互連溝槽中，當嵌埋式互連成形後，藉由化學機械研磨法(CMP)磨除該基板表面上之多餘金屬。當化學機械研磨製程後，於化學機械研磨製程中使用後所殘留之一研磨液、金屬研磨碎渣等將出現於該基板表面上。因此，需要清除這些化學機械研磨製程後殘留於該基板表面上之殘留物。
    擦淨淨清理法係常作為化學機械研磨製程後清理一基板表面之清理方法，其包括用一長圓筒滾動清理件(桿狀海綿或滾刷)擦淨淨該基板表面，藉由旋轉該基板與該滾動清理件，而且於一清洗液存在的情形下，使該滾動清理件保持接觸該基板表面(見日本特開第H10-308374號公報)。用於這擦淨清理之滾動清理件一般具有一略大於該基板直徑之長度，且設於一接觸清理表面之清理區中位於垂直該基板之旋轉軸的位置。藉由該滾動清理件磨擦該基板表面，可清理該基板表面，例如，藉由旋轉該基板於該旋轉軸上，而且該滾動清理件與該基板表面保持接觸於涵蓋該直徑方向之全長上。
    如第1圖所示，現參考該狀況，清理一基板W之表面，藉由一轉速NW(角速度ωW)旋轉具有一直徑DW之該基板W於其旋轉軸OW上，且以一轉速NR(角速度ωR)旋轉具有一直徑DR之滾動清理件R於其旋轉軸OR上，而且於一清洗液存在的情形下，該滾動清理件R與該基板W表面保持接觸於涵蓋該基板W直徑DW方向之全長上。於此狀況中，擦淨清理該基板W係實施於沿該基板W表面與該滾動清理件R間之一線性延伸清理區(接觸區C)位置上。
    位於該清理區C之基板W表面上且以該旋轉軸OW為中心所形成之一直徑D0之圓上之一個點的轉速VW，與來自該旋轉軸OW之半徑(D0/2)的關係如下：VW=(D0/2)．ωW=(D0/2)．2πNw
    位於該滾動清理件R外圍表面上之轉速VR於沿該清理區C之長度方向上是不變，即不論來自該旋轉軸OW之半徑(D0/2)為何，轉速VR係如下：VR=(DR/2)．ωR=(DR/2)．2πNR
    當D0=DR．(NR/NW)時，該基板W之轉速VW等於該滾動清理件R之轉速VR(VW=VR)。因此，當該基板W與該滾動清理件R旋轉於相同方向上且位於該清理區(接觸區)C上之該點時，兩者之間的相對速度係為零。
    例如：當一具有直徑300mm之基板(晶圓)W表面藉由一具有直徑60mm之滾動清理件R進行擦淨清理，而且旋轉該基板W於一轉速150 rpm及旋轉該滾動清理件R於一轉速200 rpm(清理條件A)時，以該旋轉軸OW為中心之一圓之直徑D0係為80mm(D0=80mm)，其經過該清理區上之一點，該點係為該基板W之轉速VW與該滾動清理件R之轉速VR之間的相對速度為零之處。如果該300mm之基板(晶圓)W之轉速降為55 rpm(清理條件B)，其它條件相同，以該旋轉軸OW為中心之一圓之直徑D0係為218mm(D0=218mm)，其經過該清理區上之一點，該點係為該基板W之轉速VW與該滾動清理件R之轉速VR之間的相對速度係為零之處。
    當清理該基板表面於上述清理條件A時，該清理效果不佳且微粒(缺陷)可能餘留於該基板表面上沿直徑80mm(D0=80mm)之圓圈的區域上，如第2A圖所示。當清理該基板表面於上述清理條件B時，該清理效果不佳且微粒(缺陷)可能餘留於該基板表面上沿直徑218mm(D0=218mm)之圓圈的區域上，如第2B圖所示。
    由此可知，降低清理效果之污染情況將發生於該滾動清理件R之一區域(污染區P0)上，該區域係位於該清理區C中之一點及其周圍，該點位於該基板W之轉速VW與該滾動清理件R之轉速VR之間的相對速度係為零之處。亦可知，當分離該基板W與該滾動清理件R時，該基板W將發生來自該污染區P0之再次污染。
    例如：當具有300mm或450mm直徑且旋轉速度於5至200 rpm之一基板(晶圓)表面，以具有300mm或450mm直徑且旋轉速度於10至200 rpm之一滾動清理件作擦淨時，一點(區域)常存在於該基板表面之清理區中，該點係為該基板之轉速與該滾動清理件之轉速之間的相對速度係為零之處。
    下述對策可避免呈現一點(區域)常存在於該基板表面之清理區中，該點係為該基板之轉速與該滾動清理件之轉速之間的相對速度係為零之處。於以一具有60mm直徑之滾動清理件擦淨一具有300mm直徑之基板的例子中，(1)該滾動清理件之轉速NR係至少5倍快於該基板之轉速NW、或者(2)當該滾動清理件旋轉於一般速度，如150 rpm時，該基板旋轉於低速，如不超過30 rpm。
    如果轉速NR係至少5倍快於該基板之轉速NW，且該滾動清理件持續使用超過一長時間，該滾動清理件因熱之產生而有相當大的損壞風險。另一方面，如果該基板旋轉於不超過30 rpm之低速，提供於該基板表面之清洗液無法沿該基板表面順暢地流動，且微粒等可能再次黏著於該基板表面上，致使清理效果不佳。
    有鑑於上述情況而發展出本發明。因此，本發明之目的係提供一基板清潔方法，其可藉由一滾動清理件更均勻清理一基板表面之全部表面，即使當存在一點(區域)於該基板表面之清理區中，該點係為該基板之轉速與該滾動清理件之轉速之間的相對速度係為零之處時。
    為了達到上述之目的，本發明提供一種基板清潔方法，藉由旋轉一基板與一沿該基板之直徑方向延伸之滾動清理件，而且使該滾動清理件保持接觸該基板之一表面，而使用該滾動清理件擦淨該基板之該表面，該方法包括於擦淨清理該基板之該表面之期間，改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度、或改變該基板之旋轉方向。
    藉由於擦淨清理該基板表面之期間，改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度、或改變該基板之旋轉方向，可改變於該基板表面之線性延伸清理區上之一點(區域)之位置，該點係為該基板之轉速與該滾動清理件之轉速之間的相對速度為零。這可減少污染集中於該滾動清理件之特定區域上，且藉以減少來自該滾動清理件對該基板之再次污染，俾能更均勻地清理該基板表面之全部表面。
    於本發明之一較佳態樣中，於擦淨清理該基板之該表面結束之前，立即改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度或該基板之旋轉方向。
    所述之「於擦淨清理該基板之該表面結束之前，立即」係指如，對擦淨清理該基板表面之所需處理時間已過百分之九十的時間點。因此，藉由於擦淨清理該基板表面結束之前，立即改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度或該基板之旋轉方向，可於最佳清理條件下以一長時間擦淨清理該基板表面，且減少因污染集中於該滾動清理件之特定區域上而污染物轉移至該基板之情況。通常，因該滾動清理件與該基板表面之間的接觸不足而使該清理效果不佳，且污染物由該滾動清理件轉移至該基板係可能發生於一時間點，該時間點為該滾動清理件由該基板表面升起時。
    於本發明之一較佳態樣中，該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度係逐步改變或不斷地改變。
    因此，藉由逐步改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度，可容易設定清理條件，且可輕易控制該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度。另一方面，藉由不斷地改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度，可更均勻分散該滾動清理件上之污染區。
    於本發明之一較佳態樣中，於擦淨清理該基板之該表面之期間，同時改變該基板的旋轉速度與該滾動清理件的旋轉速度。
    可依據清理條件等，選擇該基板的旋轉速度與該滾動清理件的旋轉速度之最佳配合，以保持最佳清理效果。
    本發明亦提供一種基板清潔方法，係藉由旋轉一基板與一沿該基板之直徑方向延伸之滾動清理件，而且使該滾動清理件保持接觸該基板之一表面，而使用該滾動清理件擦淨該基板之該表面，該方法包括一正方向清理步驟，係在旋轉該基板於一正方向時，擦淨一基板之一表面；以及一反方向清理步驟，係在以與該正方向清理步驟相同之旋轉速度旋轉該基板於該正方向之反方向時，擦淨另一基板之一表面。該正方向清理步驟與該反方向清理步驟係以交替方式進行，且對每一任意數量之後續基板重複各步驟。
    該正方向清理步驟與該反方向清理步驟使用相同之基板旋轉速度，雖然它們差異在於一基板之旋轉方向。
    該基板之旋轉方向的差異未造成任何清理效果之不同。因此，對任意數量之每一個後續基板而言，藉由交替重複該正方向清理步驟與該反方向清理步驟，其可降低污染集中於該滾動清理件之特定區域，而對所有基板維持正常清理效果。
    該每一任意數量之後續基板可為每一基板、每一批後續基板、或每一預定數量之後續基板。
    對每一基板而言，藉由交替重複該正方向清理步驟與該反方向清理步驟，其可降低污染物集中於該滾動清理件之特定區域，而對所有該基板維持一正常清理效果。對每一批後續基板而言，藉由交替重複該正方向清理步驟與該反方向清理步驟，可簡化控制軟體。對每一預定數量之後續基板藉由交替重複該正方向清理步驟與該反方向清理步驟之情況而言，可預定連續重複該正方向清理步驟與該反方向清理步驟所用之基板數量，例如，依據該滾動清理件之污染物。因此，可提升該清理方法之彈性化。
    依本發明之基板清潔方法，於擦淨清理該基板表面之期間，於一基板表面之線性延伸清理區上，該基板之轉速與該滾動清理件之轉速之間的相對速度為零的一點(區域)之位置可被改變。這可降低污染集中於該滾動清理件之特定區域，且藉以減少來自該滾動清理件之再次污染，俾能更均勻地清理該基板表面之全部表面。
    本發明之較佳實施例將與附圖一同描述。
    第3圖係顯示依據本發明之基板清潔方法所用之一擦淨清理裝置之範例示意圖。如第3圖所示，該擦淨清理裝置包括複數個(如圖所示之4個)水平式移動軸10，以支撐一如半導體晶圓之基板W之外圍，使其正面朝上，且水平旋轉該基板W；一垂直式移動之上方桿狀固持件12，係設於該軸10支撐與轉動之基板W的上方；以及一垂直式移動之下方桿狀固持件14，係設於該軸10支撐與轉動之基板W的下方。
    一長圓筒上方滾動清理件(桿狀海綿)16，例如PVA製，係可轉動地架設於該上方桿狀固持件12上。一長圓筒下方滾動清理件(桿狀海綿)18，例如PVA製，係可轉動地架設於該下方桿狀固持件14上。除了例如PVA製之桿狀海綿外，可使用具有表面刷毛之滾刷，作為該滾動清理件16及18。
    該上方桿狀固持件12連結一未示出之驅動機構以垂直移動該上方桿狀固持件12，且旋轉該轉動設於該上方桿狀固持件12上之上方滾動清理件16於圖中之箭頭F1方向。該下方桿狀固持件14連結一未示出之驅動機構以垂直移動該下方桿狀固持件14，且旋轉該轉動設於該下方桿狀固持件14上之下方滾動清理件18於圖中之箭頭F2方向。
    一上方清洗液供應噴嘴20係設於被該軸10支撐之基板W的上方，以供應一清洗液至基板W之正面(上表面)，而一下方清洗液供應噴嘴22係設於被該軸10支撐之基板W的下方，以供應一清洗液至基板W之背面(下表面)。
    該基板W之外圍位於一嚙合槽24a中，該嚙合槽24a形成於每一軸10頂端之頂輪24之圓周面上。藉由旋轉該頂輪24，當其向內壓至該基板W之外圍時，該基板W以該轉軸OW水平旋轉於圖中箭頭E之方向上(或於反方向上)。於此實施例中，該四個頂輪24之中兩個提供一轉動力至該基板W，而其它兩個頂輪24作為承載與接收該基板W轉動之用。亦可連接所有之頂輪24至一驅動機構上，以令它們都提供一轉動力至該基板W。
    當水平旋轉該基板W且由該上方清洗液供應噴嘴20供應清洗液(化學液)至該基板W之正面(上表面)時，該上方滾動清理件16係轉動且下降以接觸該基板W之正面，藉以利用該上方滾動清理件16於該清洗液中擦淨該基板W之正面，而清理該基板W之正面。該上方滾動清理件16之長度設計略大於該基板W之直徑。該上方滾動清理件16所設置之位置係為其中心軸OR幾乎垂直該基板W之轉軸OW，且其中心軸OR延伸涵蓋該基板W直徑之全長。這樣能同時清理該基板W之全部正面。
    於上述清理該基板W之正面之同時，係進行擦淨清理該基板W之背面，敘述如下：當水平旋轉該基板W且由該下方清洗液供應噴嘴22供應清洗液(化學液)至該基板W之背面(下表面)時，該下方滾動清理件18係轉動且上升以接觸該基板W之背面，藉以利用該下方滾動清理件18於該清洗液中擦淨該基板W之背面，而清理該基板W之背面。該下方滾動清理件18之長度設計略大於該基板W之直徑。如同上述清理該基板W之正面，以同時清理該基板W之全部背面。
    當於上述條件中利用該上方滾動清理件(以下簡稱滾動清理件)16清理該基板W之正面時，該基板W與該滾動清理件16相互接觸於一具有長度L之清理區30，其線性延伸於該滾動清理件16之軸方向及涵蓋該基板W於直徑方向之全部長度，如第4圖所示，且擦淨清理該基板W表面於該清理區30中。
    當利用該滾動清理件16擦淨清理一具有直徑DW之基板W正面而以一轉速NW1(角速度ωW1)旋轉該基板W且以一轉速NR1(角速度ωR1)旋轉該滾動清理件16時，如第4圖所示，該清理條件稱為「清理條件1」。該清理區30之長度L幾乎等於該基板W之直徑DW。
    於該清理條件1下進行擦淨清理該基板W表面，於該清理區30上存在有一特殊點，此處為該基板W之轉速等於該滾動清理件16之轉速，且該基板W與該滾動清理件16旋轉於同方向上，即兩者之間的相對速度為零。該基板表面之一圓之直徑標示為D1，且直徑經過該特殊點，該圓以該基板W之轉軸OW為中心。污染將部分發生於該清理區30中之滾動清理件16之污染區P1上，該污染區P1係為對應該相對速度為零之特殊點及其周圍。
    當清理該基板W表面而以一高於清理條件1之轉速NW1的轉速NW2(角速度ωW2高於ωW1)旋轉該基板W，及/或以一低於清理條件1之轉速NR1的轉速NR2(角速度ωR2低於ωR1)旋轉該滾動清理件16，如第5圖所示，且其它條件與該清理條件1相同，該清理條件稱為「清理條件2」。
    於該清理條件2下進行擦淨清理該基板W表面，於該清理區30上存在有一特殊點，此處為該基板W之轉速等於該滾動清理件16之轉速，且該基板W與該滾動清理件16旋轉於同方向上，即兩者之間的相對速度為零。當該基板表面之一圓之直徑標示為D2及該圓以該基板W之轉軸OW為中心且直徑經過該特殊點時，該直徑D2小於該直徑D1(D2<D1)，該上述清理條件1之圓之直徑D1係經過該相對速度為零之特殊點。污染將部分發生於該清理區30中之該滾動清理件16之污染區P2上，該污染區P2係為對應該相對速度為零之特殊點及其周圍。該污染區P2位於該上述清理條件1之污染區P1內側(較靠近該基板W之轉軸OW)。
    當清理該基板W表面而以一低於清理條件1之轉速NW1的轉速NW3(角速度ωW3低於ωW1)旋轉該基板W，及/或以一高於清理條件1之轉速NR1的轉速NR3(角速度ωR3高於ωR1)旋轉該滾動清理件16，如第6圖所示，且其它條件與該清理條件1相同，該清理條件稱為「清理條件3」。
    於該清理條件3下進行擦淨清理該基板W表面，於該清理區30上存在有一特殊點，此處為該基板W之轉速等於該滾動清理件16之轉速，且該基板W與該滾動清理件16旋轉於同方向上，即兩者之間的相對速度為零。當該基板表面之一圓之直徑標示為D3及該圓以該基板W之轉軸OW為中心且直徑經過該特殊點時，該直徑D3大於該直徑D1(D3>D1)，該上述清理條件1之圓之直徑D1係經過該相對速度為零之特殊點。污染將部分發生於該清理區30中之該滾動清理件16之污染區P3上，該污染區P3係為對應該相對速度為零之特殊點及其周圍。該污染區P3位於該上述清理條件1之污染區P1外側(較靠近該基板W之外圍)。
    當清理該基板W表面而以一等於清理條件1之轉速NW1的轉速NW4(角速度ωW4等於ωW1)旋轉該基板W，但於反方向上，如第7圖所示，且其它條件與該清理條件1相同，該清理條件稱為「清理條件4」。
    於該清理條件4下進行擦淨清理該基板W表面，於該清理區30上存在有一特殊點，此處為該基板W之轉速等於該滾動清理件16之轉速，且該基板W與該滾動清理件16旋轉於同方向上，即兩者之間的相對速度為零。當該基板表面之一圓之直徑標示為D4及該圓以該基板W之轉軸OW為中心且直徑經過該特殊點時，該直徑D4等於該直徑D1(D4=D1)，該上述清理條件1之圓之直徑D1係經過該相對速度為零之特殊點。污染將部分發生於該清理區30中之該滾動清理件16之污染區P4上，該污染區P4係為對應該相對速度為零之特殊點及其周圍。該污染區P4之位置與該上述清理條件1之污染區P1相對稱於該基板W之轉軸OW。
    依據本發明之第一實施例，藉由使用如第3圖所示之擦淨清理裝置進行一基板清潔方法，將如下所述。
    首先，於清洗液中利用該滾動清理件16擦淨清理一該基板W表面，且於該清理條件1下旋轉該基板W與該滾動清理件16(基板轉速NW1，滾動清理件轉速NR1)。於該擦淨清理期間，該基板W與該滾動清理件16之至少一者的旋轉速度由該清理條件1改變至該清理條件2(基板轉速NW2，滾動清理件轉速NR2)或至該清理條件3(基板轉速NW3，滾動清理件轉速NR3)。另外，於該擦淨清理期間，該基板W之旋轉方向為相反，而未改變該基板W之轉速，以由該清理條件1改變至該清理條件4。
    當由該清理條件1改變至該清理條件2時，該滾動清理件16之污染區P2將呈現於該污染區P1之位置內側(較靠近該基板W之轉軸OW)，於該清理條件1下清理該基板表面之期間，該污染區P1已存在，如第4及5圖所示。當由該清理條件1改變至該清理條件3時，該滾動清理件16之污染區P3將呈現於該污染區P1之位置外側(較靠近該基板W之外圍)，於該清理條件1下清理該基板表面之期間，該污染區P1已存在，如第4及6圖所示。這可減少污染物集中於該滾動清理件16之特定區域上，且藉以減少來自該滾動清理件16對該基板W之再次污染，而能更均勻地清理該基板W表面之全部表面。
    當由該清理條件1改變至該清理條件4時，該滾動清理件16之污染區P4之位置將呈現與該污染區P1相對稱於該基板W之轉軸OW，於該清理條件1下清理該基板表面之期間，該污染區P1已存在，如第4及7圖所示。這可減少污染物集中於該滾動清理件16之特定區域上。該清理條件1與該清理條件4之差異僅在於該基板W之旋轉方向，而其它條件相同，因而該清理條件1與該清理條件4兩者之清理效果係相同。因此，從該清理條件1至該清理條件4之改變係可防止該清理效果下降。
    雖然該基板W與該滾動清理件16之至少一者之旋轉速度的改變或該基板W之旋轉方向的改變可於擦淨清理該基板W之期間的任何時間點，但較佳為於擦淨清理該基板表面結束之前立即改變。所述之「於擦淨清理該基板表面結束之前立即」係指如，對擦淨清理該基板表面之所需處理時間已過百分之九十的時間點。因此，例如，當清理一基板表面需30秒時，該時間點為自該清理開始經過27秒。
    因此，藉由於擦淨清理該基板表面結束之前立即改變該基板W與該滾動清理件16之至少一者的旋轉速度或該基板W之旋轉方向，可於最佳清理條件下以一長時間擦淨清理該基板表面，而且減少污染集中於該滾動清理件16之特定區域上。
    當改變該基板W與該滾動清理件16之至少一者的旋轉速度時，該改變可為逐步改變或不斷地改變。藉由逐步改變該基板W與該滾動清理件16之至少一者的旋轉速度，可容易設定清理條件，且可輕易控制該基板W與該滾動清理件16之至少一者的旋轉速度。另一方面，藉由不斷地改變該基板W與該滾動清理件16之至少一者的旋轉速度，該滾動清理件16上之污染區可更均勻分散。
    於擦淨清理該基板表面之期間，可同時改變該基板W的旋轉速度與該滾動清理件16的旋轉速度。可依據清理條件等，選擇該基板W的旋轉速度與該滾動清理件16的旋轉速度之最佳配合，以保持最佳清理效果。
    依據本發明之第二實施例，藉由使用如第3圖所示之擦淨清理裝置進行一基板清潔方法，將如下所述。於本實施例中，上述之清理條件1作為清理基板表面之一正方向清理步驟，且上述之清理條件4作為清理基板表面之一反方向清理步驟。於本實施例中，對任意數量之後續基板，例如對每一基板，係交替重複該清理條件1下之正方向清理步驟與該清理條件4下之反方向清理步驟。
    具體地，一已設於該擦淨清理裝置上之基板以該正方向清理步驟(清理條件1)清理其表面。由該擦淨清理裝置上移除清理後之基板，下一基板設於該擦淨清理裝置上且以該反方向清理步驟(清理條件4)清理其表面。於此方式中，對設於該擦淨清理裝置上之每一基板，該正方向清理步驟(清理條件1)與該反方向清理步驟(清理條件4)係交替重複。
    如上所述，該清理條件1與該清理條件4之差異僅在於該基板W之旋轉方向，而其它條件相同，因而該清理條件1與該清理條件4兩者之清理效果係相同。因此，對如每一基板而言，藉由交替重複該正方向清理步驟(清理條件1)與該反方向清理步驟(清理條件4)，其可降低污染集中於該滾動清理件16之特定區域，而對所有基板維持一正常清理效果。
    交替重複該正方向清理步驟(清理條件1)與該反方向清理步驟(清理條件4)可針對每一批後續基板。這可簡化控制軟體。
    交替重複該正方向清理步驟(清理條件1)與該反方向清理步驟(清理條件4)可針對每一預定數量之後續基板。例如，依據該滾動清理件之污染，可預定連續重複該正方向清理步驟與該反方向清理步驟所用之基板數量。因此，可提升該清理方法之彈性化。 [實施例1及2]
    一四乙氧基矽烷(TEOS)空白晶圓(基板)表面，其具有一300mm之直徑與一1000 nm之膜厚，且研磨60秒，以作為一樣本。使用如第3圖所示之擦淨清理裝置，其包括具有一直徑60mm之滾動清理件16，且其清理該樣本表面28秒，於下述清理條件：該樣本之轉速為150 rpm；該滾動清理件16之轉速為200 rpm；且該樣本與該滾動清理件16之間的接觸壓力為4N。之後，僅該滾動清理件16之轉速由200 rpm改為50 rpm，且其它清理條件相同，清理該樣本表面2秒，接著甩乾該樣本。乾燥後之樣本具有不小於100 nm之尺寸，且接受留在該樣本表面上之微粒(缺陷)數量的測量。該測量結果與在該樣本表面上之微粒(缺陷)分佈一同顯示於第8圖中(實施例1)。再者，藉由使用相同晶圓樣本重複相同實驗(實施例2)。 [比較例1及2]
    使用相同擦淨清理裝置清理相同樣本30秒，於下述清理條件：該樣本之轉速為150 rpm；該滾動清理件16之轉速為200 rpm；且該樣本與該滾動清理件16之間的接觸壓力為4N，接著甩乾該樣本。乾燥後之樣本接受如實施例1及2之相同測量。該測量結果與在該樣本表面上之微粒(缺陷)分佈一同顯示於第8圖中(比較例1)。再者，藉由使用相同晶圓樣本重複相同實驗(比較例2)。
    比對該實施例與比較例之數據可察覺，本發明之清理方法可大幅減少於清理後留在該樣本表面上之微粒(缺陷)數量，此外，可使該微粒(缺陷)之分佈更均勻。因此，該比對數據顯示藉由本發明達到顯著提升清理效果。
    前述本發明之較佳實施例能令所屬技術領域者明白本發明，但非用於限制本發明，且一般原則與於此定義具體例子可應用於其他實施例。
    10‧‧‧軸
    12‧‧‧固持件
    14‧‧‧固持件
    16‧‧‧滾動清理件
    18‧‧‧滾動清理件
    20‧‧‧清洗液供應噴嘴
    22‧‧‧清洗液供應噴嘴
    24‧‧‧頂輪
    24a‧‧‧嚙合槽
    30‧‧‧清理區
    C‧‧‧清理區(接觸區)
    D0、D1、D2、D3、D4、DR、DW‧‧‧直徑
    E、F1、F2‧‧‧箭頭
    L‧‧‧長度
    OR、OW‧‧‧軸
    P0、P1、P2、P3、P4‧‧‧污染區
    R‧‧‧滾動清理件
    VR、VW‧‧‧轉速
    W‧‧‧基板
    ωW、ωW1、ωW2、ωW3、ωW4‧‧‧角速度
    ωR、ωR1、ωR2、ωR3、ωR4‧‧‧角速度
    第1圖係顯示於一擦淨清理裝置上一基板與一滾動清理件之間的關係之平面圖；第2A圖及第2B圖係顯示不同清理條件於進行擦淨清理後餘留在一基板表面之微粒(缺陷)的分佈圖；第3圖係顯示依據本發明之基板清潔方法所用之一擦淨清理裝置之範例示意圖；第4圖係顯示於清理條件1下一基板與一滾動清理件之間進行擦淨清理的關係平面圖；第5圖係顯示於清理條件2下一基板與一滾動清理件之間進行擦淨清理的關係平面圖；第6圖係顯示於清理條件3下一基板與一滾動清理件之間進行擦淨清理的關係平面圖；第7圖係顯示於清理條件4下一基板與一滾動清理件之間進行擦淨清理的關係平面圖；以及第8圖係顯示實施例1及2與比較例1及2於清理後留在一樣本表面之微粒(缺陷)數量、及留在一樣本表面上之微粒(缺陷)分佈的圖表。
    10‧‧‧軸
    12、14‧‧‧固持件
    16、18‧‧‧滾動清理件
    20、22‧‧‧清洗液供應噴嘴
    24‧‧‧頂輪
    24a‧‧‧嚙合槽
    E、F1、F2‧‧‧箭頭
    OW、OR‧‧‧軸
    W‧‧‧基板
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種基板清潔方法，係藉由旋轉一基板與沿該基板之直徑方向延伸之滾動清理件，而且使該滾動清理件保持接觸該基板之一表面，而使用該滾動清理件擦淨該基板之該表面，該方法包括：於擦淨清理該基板之該表面之期間，改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度、或改變該基板之旋轉方向。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之基板清潔方法，其中，於擦淨清理該基板之該表面結束之前，立即改變該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度或該基板之旋轉方向。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之基板清潔方法，其中，該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度係逐步改變或不斷地改變。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述之基板清潔方法，其中，該基板與該滾動清理件之至少一者的旋轉速度係逐步改變或不斷地改變。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之基板清潔方法，其中，於擦淨清理該基板之該表面之期間，同時改變該基板的旋轉速度與該滾動清理件的旋轉速度。
    [6] 一種基板清潔方法，係藉由旋轉一基板與一沿該基板之直徑方向延伸之滾動清理件，而且使該滾動清理件保持接觸該基板之一表面，而使用該滾動清理件擦淨該基板之該表面，該方法包括：一正方向清理步驟，係在旋轉該基板於一正方向時，擦淨一基板之一表面；以及一反方向清理步驟，係在以與該正方向清理步驟相同之旋轉速度旋轉該基板於該正方向之反方向時，擦淨另一基板之一表面；其中，該正方向清理步驟與該反方向清理步驟係以交替方式進行，且對每一任意數量之後續基板重覆各步驟。
    [7] 如申請專利範圍第6項所述之基板清潔方法，其中，該每一任意數量之後續基板係為每一基板、每一批後續基板、或每一預定數量之後續基板。
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